ITO薄膜基本性能与工艺

 

ITO薄膜基本性能与工艺

  ITO薄膜是一种优秀的具有广泛应用性的透明导电薄膜,ITO材料是一种n型半导体材料,由于具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和化学稳定性,因此它是液晶显示器显示器的供应商(LCD)、等离子显示器(PDP)、电致发光显示器(EL/OLED)、触摸屏触摸屏的供应商(TouchPanel)、太阳能电池电池的供应商以及其它电子仪表的透明电极最常用的材料。

  ITO薄膜的基本性能

  如图1所示ITO(In203:SN02=9:1)的微观结构,In,O,里掺人sn后,sn元素可以代替In,O,晶格中的In元素而以SnO,的形式存在,因为In20,中的In元素是三价,形成SnO,时将贡献~个电子到导带上,同时在一定的缺氧状态下产生氧空穴,形成1020至1021cm。3的载流子浓度和10至30cm2/vs的迁移率。这个机理提供了在lO叫n.cp!l数量级的低薄膜电阻率,所以ITO薄膜具有半导体的导电性能。

  ITO是一种宽能带薄膜材料,其带隙为3.5-4.3ev。紫外光区产生禁带的励起吸收阈值为3.75ev,相当于330nm的波长,因此紫外光区ITO薄膜的光穿透率极低。同时近红外区由于载流子的等离子体振动现象而产生反射,所以近红外区ITO薄膜的光透过率也是很低的,但可见光区ITO薄膜的透过率非常好,由图2可知。由以上分析可以看出,由于材料本身特定的物理化学性能,ITO薄膜具有良好的导电性和可见光区较高的光透过率。

  ITO薄膜的应用

  ITO薄膜问世五十多年以来,在太阳能电池、平板显示、防霜玻璃、气敏器件、节能建筑窗和航空航天领域得到了广泛的应用.同时,近年来氧化铟锡透明导电薄膜作为透明电极,被广泛应用于电化学活性物质的电化学沉积制备及其光电性质研究的领域.


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